Mạ điện bằng xung tập trung (L-PED) là một kỹ thuật để in 3D trực tiếp các cấu trúc kim loại vi mô / nano lớp tự do và theo từng lớp ở đầu của một  vòi phun có chứa chất điện li. Phương pháp này tuân theo cùng nguyên tắc lắng đọng kim loại như điện tích truyền thống (mạ điện), tuy nhiên diện tích lắng đọng bị hạn chế bởi kích thước của cầu lỏng (mặt khum) được hình thành giữa đầu vòi phun và chất nền [1]. Ưu điểm độc đáo của quy trình L-PED là khả năng kiểm soát vi cấu trúc không gian của kim loại in trong hình học 3D bằng cách điều chỉnh các thông số lắng đọng (mật độ dòng điện, thời gian, thời gian tắt, vv). Phương pháp này có thể được sử dụng trong các ứng dụng khác nhau trong công nghệ nano, đặc biệt là cho các thiết bị điện tử và cảm biến 3 chiều.